
CSD86350Q5DT
- TI
- 中国
- 21+/22+
- 5000~50000
1、超大型EMS工場供給、最高の保管条件;
2、元の工場は元の標準(パッケージ全体)を開けていないため、品質が保証されています。
3、非特別な制御材料を塗装することはできません。
4、最新の製品で、さまざまな希少な素材に使用できます。
商品属性 | 属性値 | 属性を選択 |
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テキサス・インスツルメンツ | ||
製品カテゴリ: | MOSFET | |
RoHS : | 詳細 | |
と | ||
SMD /SMT | ||
息子 -8 | ||
Nチャンネル | ||
2チャンネル | ||
25V | ||
40A | ||
5ミリオーム、1.1ミリオーム | ||
-8V、+8V | ||
900mV | ||
10.7nC、25nC | ||
- 55℃ | ||
+ 125℃ | ||
13W | ||
強化 | ||
CSD86350Q5D | ||
リール | ||
カットテープ | ||
ブランド: | テキサス・インスツルメンツ | |
構成: | デュアル | |
落下時間: | 2.3ns、21ns | |
順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 103S、132S | |
製品の種類: | MOSFET | |
立ち上がり時間: | 21ns、23ns | |
250 | ||
サブカテゴリ: | MOSFET | |
トランジスタの種類: | 2 Nチャンネル | |
標準的なターンオフ遅延時間: | 9ns、24ns | |
標準的なターンオン遅延時間: | 8ns、9ns | |
単位重量: | 0.005305オンス |
製品タグ: