CSD86350Q5D
- TI
- 中国
- 21+/22+
- 5000~50000
1、超大型EMS工場供給、最高の保管条件;
2、元の工場は元の標準（パッケージ全体）を開けていないため、品質が保証されています。
3、非特別な制御材料を塗装することはできません。
4、最新の製品で、さまざまな希少な素材に使用できます。
| 商品属性 | 属性値 | 属性を選択 |
|---|---|---|
| テキサス・インスツルメンツ | ||
| 製品カテゴリ： | MOSFET | |
| RoHS : | 詳細 | |
| と | ||
| SMD /SMT | ||
| 息子 -8 | ||
| Nチャンネル | ||
| 2チャンネル | ||
| 25V | ||
| 40A | ||
| 5ミリオーム、1.1ミリオーム | ||
| -8V、+8V | ||
| 900mV | ||
| 10.7nC、25nC | ||
| - 55℃ | ||
| + 150℃ | ||
| 13W | ||
| 強化 | ||
| NexFET | ||
| CSD86350Q5D | ||
| リール | ||
| カットテープ | ||
| マウスリール | ||
| ブランド： | テキサス・インスツルメンツ | |
| 構成： | デュアル | |
| 開発キット: | CSD86350Q5DEVM-604、TPS53219EVM-690 | |
| 落下時間: | 2.3ns、21ns | |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 103S、132S | |
| 身長： | 1.5mm | |
| 長さ： | 6mm | |
| 製品の種類： | MOSFET | |
| 立ち上がり時間： | 21ns、23ns | |
| 2500 | ||
| サブカテゴリ: | MOSFET | |
| トランジスタの種類: | 2 Nチャンネル | |
| タイプ： | 同期バック MOSFET ドライバ | |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 9ns、24ns | |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 8ns、9ns | |
| 幅： | 5mm | |
| 単位重量: | 0.005997 オンス |
製品タグ:
